在科技高速發(fā)展的當下，紫外 LED
光源憑借其節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)勢，被廣泛應用于醫(yī)用、印刷、殺|菌等多個領域。要了解這類光源的工作方式，還需從其發(fā)光原理和核心技術說起。
紫外 LED 光源的發(fā)光基于半導體的電致發(fā)光效應。其核心部件是由氮化鎵(GaN)等化合物半導體材料制成的 PN 結。當向 PN
結施加正向電壓時，電子和空穴分別從 N 型半導體和 P
型半導體注入到有源區(qū)，在那里，電子與空穴復合，以光子的形式釋放出能量。通過準確控制半導體材料的成分和結構，就能夠發(fā)射特定波長的紫外線。
在核心技術方面，材料生長技術對紫外 LED 的性能起著決定性作用。高質量的氮化鎵外延片是獲得紫外 LED
的基礎，金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術是目前生長氮化鎵外延層的主流方法。通過準確控制反應氣體的流量、溫度等參數(shù)，實現(xiàn)高質量氮化鎵薄膜的生長。
芯片制造技術同樣至關重要。芯片制造過程中，光刻、蝕刻等工藝對芯片的性能影響極大。為提高紫外 LED
的發(fā)光效率，科學家通過優(yōu)化芯片的結構，如采用多量子阱結構，增加電子與空穴的復合概率，從而提升發(fā)光效率。
封裝技術也是關鍵環(huán)節(jié)，合適的封裝材料和結構不僅能保護芯片，還能提高出光效率。通過采用高透光率的封裝材料，減少光線在封裝過程中的損失，讓紫外 LED
光源發(fā)揮出更大的價值。
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